成立于2012年, 自成立始便设定为一家专业设计制造生产到后段方案全方位上下整合服务专业半导体公司, 提供上下游端客户全段咨询服务, 无后顾之忧, 自产品定义研讨\最佳制程工艺选择\线路设计\线路布图\可靠性分析\应用方案设计, 与客户偕同在现今变化快速的终端应用市场共存共荣,携手成长!。
專業高效的好夥伴研发团队来自于国内台清交研究所硕博士,并且在业界累积超过80年一线设计经验, 有大量成功案例与Silicon Approve经验与IP架构,有效提升研发速率, 降低失误风险, 协助客户发挥最快接单效益。
MCU base with charge management IC and Li-ion battery protetion ICs!
High efficiency Dc-DC converter ICs with High sustainableinput voltage
BIPOLAR与CMOS 制程LDO系列产品, 自1117全电压输出CMOS制程软启动与超低Iq,40V BCD制程产品系列多样设计选项
自低压30V MOS产品到1700V碳化硅萧特基二极管\场效应晶体管 MOSFET与光耦合开关 Photo Coupler ICS
封装型式自SOP至SOT23/89/223,到DFN QFN, 以及高功率器件常用之220 252 247 3P等, 配合我司软硬件设计工程师从成品方案设计到MCU软韧体协调, PCB布线试产与BSMI及多国安规对应,乃至于量产在台陆皆有上下游经验丰富协力厂提供高效方案
高效运算伴随着高频电源供应\内存存储器超频处理应用产生的Junction Temp.结温, 伴随着BAREBONE准系统内的气\液冷系统, 但是如何将CHIP产生的热透过EPOXY传导到IC表面,更有效的与主动散热系统加速对流与辐射, 提升效能\延长寿命; 现阶段同SOLUTION PROVIDER皆以表面黏贴5~8um镍膜来达此目的,然,镍的散热系数偏低, 黏贴介质降低热传导, 生产效率低且成本高; 我司专利之金属薄膜厚度仅0.2um, 使用散热材质为散热系数更佳且更廉价的金属铝, 辅之生产技术可在IC封装中(IN-LINE PROESS)或封装后(POST-PROCESS)处理散热镀层, 工艺灵活,效率高, 且成本极低
产品系列从最入门的单节锂电池芯充电管理到高耐压(32V)并带多重保护功能如反接保护\ 过电压保护,电池端脚位高耐压设计可达16V, 且可防止电池与VCC电压倒灌并自动再充电, 大幅提升电池主板加工可靠度且可实现28V热插入. 此外亦有充电管理与充电保护二合一IC,为高度及程以及窄小布板空间设计考虑,特别适合手持以及穿戴式产品应用
歡迎申請樣品與驗證板低压PMOSFET与NMOS系列产品具备低导通电阻与多样封装形式搭配不同应用, 超高耐压碳化硅(SiC)系列产品包含萧特基二极管与FET亦适合高压大电流的高带宽高能应用
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维宇先进科技有限公司研发团队为国内顶大EE学\硕士,并且在业界相关领域服务超过15年以上线路设计与整合, 结合晶圆厂紧密联系更新最新制程工艺讯息, 在标准CMOS以及中高压BCD制程均有多项成功量产实绩, 在线性电源. 模拟.数字, 混信号等应用上搭配及时MPW/ MLM 服务, 协助客户降低风险,提升效益,达到时效面市,尽速放量的双赢局面
